Высказывания: Чем добросовестнее изучаешь источники, тем с большей грустью убеждаешься в сомнительности всякого исторического свидетельства ... ни тщательно удостоверенная давность документа, ни его архивная подлинность еще не гарантируют его надежности и человеческой правдивости. Стефан Цвейг.
Основные параметры транзистора BFV65B биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора BFV65B . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
500mW
30V
15V
4V
500mA
200°C
500MHz
4
40MIN
Производитель: TI Сфера применения: Ultra High Frequency, Medium Power, Switching Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BFV65B
Общий вид транзистора BFV65B.
Цоколевка транзистора BFV65B.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
