Высказывания: 'Мы должны начать новую эру сотрудничества, основанную на взаимных интересах и взаимном уважении', отметив при этом, что прежняя политика вызывала в мире 'рефлексивный антиамериканизм' Президент США Барак Абама. Открытие 64-ой сессии Генеральной ассамблеи ООН. Сентябрь 2009г.
Основные параметры транзистора BD527-5 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора BD527-5 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
10W
80V
80V
4V
2A
150°C
50MHz
-
60MIN
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: RF, Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BD527-5
Общий вид транзистора BD527-5.
Цоколевка транзистора BD527-5.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.