Параметры транзистора BC558B. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Юмор:
Решили aнгличaне и фрaнцузы прокопaть тонель под Лaмaншем.
Идет зaседaние комиссии, где выбирaют фирму для производствa рaбот.
Встaют aмерикaнцы и говорят:
- рaботы будем производить с двух сторон, в течении 2-х лет. Гaрaнтируем точность соединения до 15 метров.
Встaют японцы и говорят:
- рaботы будем производить с двух сторон, в течении годa. Гaрaнтируем точность соединения до 5 метров.
Встaют русские 'тонельметрострой' и говорят:
- Знaчит тaк. Рыть будем с двух сторон, срок 2 недели.. Ни хренa не гaрaнтируем. В крaйнем случaе будет двa тонеля.



Основные параметры транзистора BC558B биполярного высокочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора BC558B . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
500mW30V25V5V100mA150°C75MHz 7240MIN

Производитель: PHILIPS
Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора BC558B

Общий вид транзистора BC558B.Цоколевка транзистора BC558B.
Общий вид транзистора BC558B Цоколевка транзистора BC558B

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора BC558B
Где купить транзистор BC558B?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора BC558B.

Дополнение: Какова величина переходного коэффициента?.
Дата добавления: 2016-06-24 03:29:33; Пользователь: Б.А.Г..


Вы знаете больше о транзисторе BC558B, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора BC558B.
Добавить рисунок транзистора BC558B.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора BC558B.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru