Высказывания: Если у тебя есть яблоко и у меня есть яблоко и мы обменяемся этими яблоками, то у каждого из нас будет одно яблоко... если у тебя есть идея и у меня есть идея и мы обменяемся этими идеями, то у каждого из нас будет по две идеи! Бернард Шоу
Основные параметры транзистора BC212K биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора BC212K . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
300mW
60V
50V
5V
200mA
150°C
200MHz
10
50MIN
Производитель: TI Сфера применения: Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BC212K
Общий вид транзистора BC212K.
Цоколевка транзистора BC212K.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.