Высказывания: Независимо от единиц измерения, используемых поставщиком или покупателем, производитель будет использовать свои собственные произвольные единицы измерения, переводимые в единицы поставщика или покупателя с помощью странных и неестественных коэффициентов пересчета. Теорема Вышковского
Основные параметры транзистора AL100-4 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора AL100-4 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
30W
130V
60V
2V
10A
100°C
2MHz
-
40/70
Производитель: STE Сфера применения: RF, Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора AL100-4
Общий вид транзистора AL100-4.
Цоколевка транзистора AL100-4.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
