Высказывания: Если у тебя есть яблоко и у меня есть яблоко и мы обменяемся этими яблоками, то у каждого из нас будет одно яблоко... если у тебя есть идея и у меня есть идея и мы обменяемся этими идеями, то у каждого из нас будет по две идеи! Бернард Шоу
Основные параметры транзистора 2SD471 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SD471 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
800mW
30V
25V
5V
1A
150°C
130MHz
16
70/140
Производитель: SAMSUNG Сфера применения: Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SD471
Общий вид транзистора 2SD471.
Цоколевка транзистора 2SD471.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.