Высказывания: Чтобы определить, сколько времени потребует работа, возьмите время которое, по-вашему, на нее необходимо, умножьте на 2 и замените единицы измерения на единицы более высокого порядка. Так мы выделяем два дня на одночасовую работу. Правило Вестгеймера
Основные параметры транзистора 2SD322 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD322 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
80W
120V
80V
7V
7A
150°C
-
-
30MIN
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: High Power, High Voltage, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SD322
Общий вид транзистора 2SD322.
Цоколевка транзистора 2SD322.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.