Юмор: - Вы знаете, он в последнее время очень изменился в лучшую сторону - и как руководитель страны, и как верховный главнокомандующий, и просто как человек! - Вы о Путине? - Причём тут Путин?! Я о Сталине!
Основные параметры транзистора 2SD1903S биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SD1903S . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
30W
60V
30V
6V
8A
150°C
120MHz
-
140/280
Производитель: SANYO Сфера применения: Power, Switching, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SD1903S
Общий вид транзистора 2SD1903S.
Цоколевка транзистора 2SD1903S.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.