Параметры транзистора 2SC4080F. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты    Здесь покупают

Новости:
15.5.2023 Выключение занимает около секунды, включение ...
9.5.2023 С Днём Победы!!!...
7.4.2023 В лабораториях, к столетнему юбилею, наверняк...


Высказывания:
Наиболее высоконравственны обычно те, кто дальше всех от решения задач.
Принцип Алинского для радикалов



Основные параметры транзистора 2SC4080F биполярного сверхвысокочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SC4080F . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
200mW200V200V4V100mA175°C400MHz 1.8160/320

Производитель: SANYO
Сфера применения: RF, Low Power, High Voltage
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SC4080F

Общий вид транзистора 2SC4080F.Цоколевка транзистора 2SC4080F.
Общий вид транзистора 2SC4080F Цоколевка транзистора 2SC4080F

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора 2SC4080F
Где купить транзистор 2SC4080F?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC4080F.

Вы знаете больше о транзисторе 2SC4080F, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SC4080F.
Добавить рисунок транзистора 2SC4080F.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SC4080F.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru