Мысли и афоризмы: 'Зачем, - говорит эгоист, - стану я работать для потомства, когда оно ровно ничего для меня не сделало?' - Несправедлив ты, безумец! Потомство сделало для тебя уже то, что ты, сближая прошедшее с настоящим, можешь считать себя по произволу - младенцем, юношей и старцем. Козьма Прутков.
Основные параметры транзистора 2SA513-O биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SA513-O . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
800mW
60V
40V
5V
1.5A
175°C
20MHz
50
50/150
Производитель: TOSHIBA Сфера применения: Medium Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SA513-O
Общий вид транзистора 2SA513-O.
Цоколевка транзистора 2SA513-O.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
