Параметры транзистора 2SA1187. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Многие дела нашей партии и народа, будут извращены и оплёваны прежде всего за рубежом, да и в нашей стране тоже. Сионизм, рвущийся к мировому господству, будет жестоко мстить нам за наши успехи и достижения. Он всё ещё рассматривает Россию как варварскую страну, как сырьевой придаток. И имя моё тоже будет оболгано, оклеветано. Мне припишут множество злодеяний.
Мировой сионизм всеми силами будет стремиться уничтожить наш Союз, что бы Россия больше никогда не могла подняться. Сила СССР - в дружбе народов. Остриё борьбы будет направлено прежде всего на разрыв этой дружбы, на отрыв окраин от России. Здесь, надо признаться, мы ещё не всё зделали. Здесь ещё большое поле работы.
С особой силой поднимет голову национализм. Он на какое то время придавит интернационализм и патриотизм, только на какое - то время. Возникнут национальнве группы внутри наций и конфликты. Появится много вождей - пигмеев, предателей внутри своих наций. В целом в будущем развитие пойдёт более сложными и даже бешеными путями, повороты будут предельно крутыми. Дело идёт к тому, что особенно взбударажится Восток. Возникнут острые противоречия с Западом.
И всё же, как бы ни развивались события, но пройдёт время, и взоры новых поколений будут обращены к делам и победам нашего социалистического Отечества. Год за годом будут приходить новые поколения. Они вновь подымут знамя своих отцов и дедов и отдадут нам должное сполна.
Своё будущее они будут строить на нашем прошлом.
Сталин И.В. Из записи беседы с А. Коллонтай



Основные параметры транзистора 2SA1187 биполярного низкочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SA1187 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
120W150V150V5V12A125°C30MHz 11060T

Производитель: SONY
Сфера применения: High Power, High Voltage, General Purpose
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2SA1187

Общий вид транзистора 2SA1187.Цоколевка транзистора 2SA1187.
Общий вид транзистора 2SA1187 Цоколевка транзистора 2SA1187

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора 2SA1187
Где купить транзистор 2SA1187?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SA1187.

Вы знаете больше о транзисторе 2SA1187, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SA1187.
Добавить рисунок транзистора 2SA1187.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SA1187.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru