Высказывания: Никогда не делай долгов; лучше терпи нужду; поверь, она не так ужасна, как кажется, и, во всяком случае, она лучше неизбежности вдруг оказаться бесчестным или прослыть таковым. Пушкин Александр Сергеевич
Основные параметры транзистора 2N5012 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2N5012 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
2W
700V
-
5V
500mA
200°C
20MHz
30
30/180
Производитель: SIEMENS Сфера применения: RF, Medium Power, High Voltage Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N5012
Общий вид транзистора 2N5012.
Цоколевка транзистора 2N5012.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.