Высказывания: Если Вы красивый инопланетянин, и в Вас не влюбляются земные девушки, значит Вас уже любит другой красивый инопланетянин. Следствие Зойсайта: На Западе одного из вас сделают женщиной! Поправка Кунсайта: Конечно же, это будете Вы. 2-ой оптимистический вывод Кагэро: Ваш возлюбленный умрет. 3-ий закон Инопланетной любви
Основные параметры транзистора 2N1960 биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N1960 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: германий (Ge) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
150mW
15V
15V
-
200mA
100°C
100MHz
-
25MIN
Производитель: SYL Сфера применения: Low Power, Switching, High Frecvency Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N1960
Общий вид транзистора 2N1960.
Цоколевка транзистора 2N1960.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
