Высказывания: В большом городе пешеходы ведут мученическую жизнь. Для них ввели некое транспортное гетто. Им разрешают переходить улицы только на перекрестках, то есть именно в тех местах, где движение сильнее всего и где волосок, на котором обычно висит жизнь пешехода, легче всего оборвать. Ильф и Петров
Основные параметры транзистора D45VH6 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора D45VH6 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
75W
45V
45V
5V
15A
150°C
25MHz
400
60MIN
Производитель: GENERAL SEMI Сфера применения: RF, Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора D45VH6
Общий вид транзистора D45VH6.
Цоколевка транзистора D45VH6.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
