Высказывания: Отсутствие великодушия у победителя уменьшает наполовину значение и выгоды победы. Джузеппе Мадзини
Основные параметры транзистора 2SD661 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SD661 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
300mW
35V
35V
7V
100mA
150°C
75MHz
2.2
260MIN
Производитель: FUJITSU Сфера применения: Low Power, Low Noise, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SD661
Общий вид транзистора 2SD661.
Цоколевка транзистора 2SD661.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SD661.
Дополнение: У производителя транзистора 2SD661
Panasonic: тип корпуса SC-71,цоколевка у него другая. База у него не в середине, а с краю..
Дата добавления: 2015-02-27 10:42:51; Пользователь: Prophetmaster.
Комментарий к рисунку: Panasonic,2SD661.
Дата добавления: 2015-02-27 16:19:02; Пользователь: Без имени.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.