Высказывания: При печатании книги в нее всегда вкрадывается несколько ошибок, которые никто не заметит. Следствие Блоха: Открыв сигнальный экземпляр на произвольной странице, автор тут же наткнется на самую грубую ошибку. Дополнение Шулаева: Самые грубые ошибки набраны самым крупным кеглем. Закон публикаций Джоунса
Основные параметры транзистора 2SD1325 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1325 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
35W
50V
-
-
2A
150°C
-
-
1000T
Производитель: HITACHI Сфера применения: Darlington, Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SD1325
Общий вид транзистора 2SD1325.
Цоколевка транзистора 2SD1325.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
