Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Новости.

Новости:
9.2.2023 Разработка российских учёных - будущее литогр...
28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...
23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

Высказывания:
Никогда не следует доверять женщине, которая называет вам свой возраст. Женщина, способная на такое, способна на все.
Оскар Уайльд

Новости справочника основных параметров транзисторов подробно.

22.1.2023: Строится фабрика для производства микроэлектроники по 28-нанометровой топологии в России. 28 нанометров - это сегодняшний предел для качественного уменьшения логических элементов на современных кремниевых пластинах. Дальнейшего уменьшения геометрии транзисторов в настоящее время не предполагается.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.