Высказывания: Сомневаться в Боге - значит верить в него.
Основные параметры полевого n-канального транзистора SI2306BDS-T1-GE3
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора SI2306BDS-T1-GE3 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
750
30
-
3
3160
-
-
305
0,047
Производитель: Vishay (Siliconix,General Semiconductor) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора SI2306BDS-T1-GE3:
Корпус: SOT-23,SOT-346; Rth: 0°C; Qg: 4,5нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора SI2306BDS-T1-GE3
Общий вид транзистора SI2306BDS-T1-GE3.
Цоколевка транзистора SI2306BDS-T1-GE3.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2022-08-19 10:54:59; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.