Наш век.: Не плоть, а дух растлился в наши дни, И человек отчаянно тоскует… Он к свету рвётся из ночной тени И, свет обретши, ропщет и бунтует.
Безверием палим и иссушён, Невыносимое он днесь выносит… И сознаёт свою погибель он, И жаждет веры — но о ней не просит…
Не скажет ввек, с молитвой и слезой, Как ни скорбит пред замкнутою дверью: “Впусти меня! — Я верю, Боже мой! Приди на помощь моему неверью!..”
Тютчев Фёдор Иванович
Основные параметры полевого n-канального транзистора FDPF33N25T
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора FDPF33N25T . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
37000
250
-
30
132000
-
-
2135
0,094
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FDPF33N25T:
Корпус: TO-220F; Rth: 0°C; Qg: 36,8нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDPF33N25T
Общий вид транзистора FDPF33N25T.
Цоколевка транзистора FDPF33N25T.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2019-02-16 15:04:13; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.