Высказывания: Хозяин земли Русской — есть один лишь русский (великорус, малорус, белорус — это всё одно) — и так будет навсегда. Достоевский Фёдор Михайлович
Основные параметры полевого n-канального транзистора FDP51N25
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора FDP51N25 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
320000
250
-
30
204000
-
-
3410
0,06
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FDP51N25:
Корпус: TO-220; Rth: 0°C; Qg: 55нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDP51N25
Общий вид транзистора FDP51N25.
Цоколевка транзистора FDP51N25.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2018-04-28 17:09:29; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.