Высказывания: Блажен, кто сможет на земном пути Сокровища познаний припасти. Саади
Основные параметры полевого n-канального транзистора PHB55N03LTA
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора PHB55N03LTA . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
85000
25
-
2
55000
-
-
950
0,014
Производитель: Others Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора PHB55N03LTA:
Корпус: TO-263; Rth: 0°C; Qg: 20нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора PHB55N03LTA
Общий вид транзистора PHB55N03LTA.
Цоколевка транзистора PHB55N03LTA.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2016-10-20 15:39:17; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.