Высказывания: Вселенная бесконечно систематизирована как снизу вверх (все более крупные системы), так и сверху вниз (меньшие системы).
Основные параметры полевого n-канального транзистора IRFB59N10D
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора IRFB59N10D . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
200000
100
-
30
236000
-55+175
(Ton:16/Tof:20nS)
2450
0,025
Производитель: International Rectifier Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора IRFB59N10D:
Корпус: TO-220AB; dV/dt: 3,3В/нс; Rth: 0,75°C; Coss: 740пФ; Crss: 190пФ; Qg: 76нКл; Qgs: 24нКл; Qgd: 36нКл; Trise: 90нc; Tfall: 12нc; Trr: 130нc; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRFB59N10D
Общий вид транзистора IRFB59N10D.
Цоколевка транзистора IRFB59N10D.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2016-07-04 14:46:42; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.