Высказывания: Кто бедствующих милостью дарит Тот волю Милосердного творит. Саади
Основные параметры полевого p-канального транзистора FDZ375P
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого p-канального транзистора FDZ375P . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: p-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
500
20
-
8
12000
-
-
865
0,078
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FDZ375P:
Корпус: 4-XFBGA,WL-CSP 4L,WLCSP; Rth: 0°C; Qg: 11нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDZ375P
Общий вид транзистора FDZ375P.
Цоколевка транзистора FDZ375P.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2016-06-01 10:58:12; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
