Высказывания: Существует лишь одна вещь точнее огня противника - это когда по вам стреляют свои.
Основные параметры полевого n-канального транзистора CS8N60FA9H
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора CS8N60FA9H . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология): MOSFET
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
45000
600
±30
8000
-55+150
(Ton:13ns/Toff:41nS)
1253
Typ:0.8; Max:1.2
Производитель: CITS Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора CS8N60FA9H
Общий вид транзистора CS8N60FA9H.
Цоколевка транзистора CS8N60FA9H.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2016-02-11 09:01:20; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.