Высказывания: Грабь, хватай, копи, владей - все придется оставить. Марциал
Основные параметры полевого n-канального транзистора CEP50N06/CEB50N06
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора CEP50N06/CEB50N06 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология): MOSFET
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
131000
60
±20
50000
-55+175
(18ns/32.5ns)
1230
0.019
Производитель: CET Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора CEP50N06/CEB50N06
Общий вид транзистора CEP50N06/CEB50N06.
Цоколевка транзистора CEP50N06/CEB50N06.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2015-01-21 06:47:58; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.