Высказывания: Вовремя прочитанная книга - огромная удача. Она способна изменить жизнь, как не изменит ее лучший друг или наставник. Павленко Петр Андреевич
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJ15016G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJ15016G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
180000
200
120
7
15000
-65+200
2200000
60
5-70
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJ15016G:
Корпус: TO-204. Ton 4500nS, Toff 9000nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJ15016G
Общий вид транзистора MJ15016G.
Цоколевка транзистора MJ15016G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.