Высказывания: Представьте себе, какая была бы тишина, если бы люди говорили только то, что знают. Карел Чапек.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора 2STX1360
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора 2STX1360 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1000
80
60
6
5000
-65+150
130000000
-
80-400
Производитель: STMicroelectronics Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2STX1360:
Корпус: TO-92. Ton 98nS, Toff 674nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2STX1360
Общий вид транзистора 2STX1360.
Цоколевка транзистора 2STX1360.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.