Высказывания: Я разве только я? Я - только краткий миг чужих существований. Боже правый, зачем ты создал мир, и милый и кровавый, и дал мне ум, чтоб я его постиг! Заболоцкий Николай Алексеевич
Основные параметры биполярного низкочастотного pnp транзистора 2STA1962
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2STA1962 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150000
230
230
5
30000
-55+150
30000000
150
35-160
Производитель: STMicroelectronics Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2STA1962:
Корпус: TO-247. Ton 240nS, Toff 1410nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2STA1962
Общий вид транзистора 2STA1962.
Цоколевка транзистора 2STA1962.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
