Высказывания: Если вы сохраняете голову на плечах, когда все вокруг теряют свои, значит, вы просто не понимаете ситуацию.
Основные параметры биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора 2SCR522M
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора 2SCR522M . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
150
20
20
5
400
-55+150
400000000
2
120-560
Производитель: ROHM Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SCR522M:
Корпус: SOT-723. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SCR522M
Общий вид транзистора 2SCR522M.
Цоколевка транзистора 2SCR522M.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.