Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора FJN4301R.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Творческая личность подчиняется иному, более высокому закону, чем закон простого долга. Для того, кто призван совершить великое деяние, осуществить открытие или подвиг, двигающий вперед все человечество, для того подлинной родиной является уже не его отечество, а его деяние. Он ощущает себя ответственным в конечном счете только перед одной инстанцией - перед той задачей, которую ему предназначено решить, и он скорее позволит себе презреть государственные и временные интересы, чем то внутреннее обязательство, которое возложили на него его особая судьба, особое дарование.
Стефан Цвейг.



Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора FJN4301R

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора FJN4301R . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
300505010100-200000000 -20

Производитель: FairChild (Samsung)
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора FJN4301R: Корпус: TO-92.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора FJN4301R

Общий вид транзистора FJN4301R.Цоколевка транзистора FJN4301R.
Общий вид транзистора FJN4301R Цоколевка транзистора FJN4301R

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-01-14 17:54:44.


Аналоги транзистора FJN4301R


Коллективный разум. Дополнения для транзистора FJN4301R.

Вы знаете больше о транзисторе FJN4301R, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора FJN4301R.
Добавить рисунок транзистора FJN4301R.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора FJN4301R.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru