Высказывания: У меня давняя дружба со смертью. Не исключено, что когда она придет, я скажу ей: 'Присядьте, отдохните! Может быть, выпьем шампанского?' Я ведь в глубине души трус. Сальвадор Дали
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора FFB2222A
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора FFB2222A . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
300000
75
40
5
500
-
300000000
-
100-300
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FFB2222A:
Корпус: SOT-363. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FFB2222A
Общий вид транзистора FFB2222A.
Цоколевка транзистора FFB2222A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.