Высказывания: 2. Работающая над программой группа питает отвращение к еженедельной отчетности о достигнутых результатах, поскольку она слишком явно свидетельствует об отсутствии таковых. Закон мира ЭВМ по Голубу
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора dsc2002
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора dsc2002 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
200
60
50
5
1000
150
160000000
4,8
120/340
Производитель: Panasonic Сфера применения: general amplification Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора dsc2002
Общий вид транзистора dsc2002.
Цоколевка транзистора dsc2002.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Дата создания страницы: 2010-11-07 07:55:02; Пользователь: А_termit.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
