Высказывания: Чем больше затраты на выполнение плана, тем меньше шансов отказаться от него - даже если он окажется несостоятельным.Следствие: Чем выше престиж людей, стоящих за планом, тем меньше шансов его отмены. Теорема неизбежности Бахмана
Основные параметры биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора КТ920В
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора КТ920В . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
25000
36
36
4
3000
-
400000000
-
-
Производитель: USSR Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора КТ920В:
Корпус: SOT-122. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора КТ920В
Общий вид транзистора КТ920В.
Цоколевка транзистора КТ920В.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.