Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора bc32840 (ВС32840).

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Человек редко ошибается дважды - обычно раза три или больше.



Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора bc32840 (ВС32840)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора bc32840 (ВС32840) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
625-25-5-800150100000000 12250/630

Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора bc32840 (ВС32840): Комплементарная пара - bc338. HFe: bc32816(ВС328-16)-100/250; bc32825(ВС328-25)- 160/400.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора bc32840 (ВС32840)

Общий вид транзистора bc32840 (ВС32840).Цоколевка транзистора bc32840 (ВС32840).
Общий вид транзистора bc32840 (ВС32840) Цоколевка транзистора bc32840 (ВС32840)

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2014-11-05 11:58:59; Пользователь: Д..


Аналоги транзистора bc32840 (ВС32840)


Коллективный разум. Дополнения для транзистора bc32840 (ВС32840).

Вы знаете больше о транзисторе bc32840 (ВС32840), чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора bc32840 (ВС32840).
Добавить рисунок транзистора bc32840 (ВС32840).
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора bc32840 (ВС32840).

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru