Высказывания: Ни один сосуд не вмещает в себя больше своего объёма, кроме сосуда знаний,- он постоянно расширяется. Арабская Мудрость
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора WT669A
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора WT669A . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1000
180
160
5
3000
-55+150
140000000
14
30-200
Производитель: WEITRON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора WT669A:
Корпус: SOT-89. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора WT669A
Общий вид транзистора WT669A.
Цоколевка транзистора WT669A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.