Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2Т818В.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Без Любви - всё ничто:
Справедливость без Любви делает человека жестоким,
Ответственность без Любви делает человека бесцеремонным,
Правда без Любви делает человека критиканом,
Ум без Любви делает человека хитрым,
Приветливость без Любви делает человека лицемерным,
Компетентность без Любви делает человека неуступчивым,
Власть без Любви делает человека тираном,
Честь без Любви делает человека высокомерным,
Обязательность без Любви делает человека раздражительным,
Богатство без Любви делает человека жадным,
Вера без Любви делает человека фанатиком.




Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора 2Т818В

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора 2Т818В . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
10000010080520000+1253 100020

Производитель: USSR
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора 2Т818В: Корпус: TO-204AA.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2Т818В

Общий вид транзистора 2Т818В.Цоколевка транзистора 2Т818В.
Общий вид транзистора 2Т818В Цоколевка транзистора 2Т818В

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-05-02 11:19:41.


Аналоги транзистора 2Т818В


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2Т818В.

Вы знаете больше о транзисторе 2Т818В, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2Т818В.
Добавить рисунок транзистора 2Т818В.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2Т818В.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru