Восстание машин: Ноутбук включился в рюкзаке из спящего режима, сам решил поустанавливать обновления и ребутнуться, стер все открытые программы типа Стима и Гугл Хрома, до жидкости вытопил своими четырьмя ядрами запечатанную 99-процентную шоколадку, та залила рюкзак. Ноут кулером через вентиляционное отверстие всосал жидкий шоколад внутрь себя и довольный сдох.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора ZXTN08400BFF
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора ZXTN08400BFF . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1500
400
1000
-
40000000
-
70-100
Производитель: Diodes inc. Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора ZXTN08400BFF:
Корпус: SOT-23F. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора ZXTN08400BFF
Общий вид транзистора ZXTN08400BFF.
Цоколевка транзистора ZXTN08400BFF.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.