Высказывания: Молчание - один из наиболее трудно опровергаемых аргументов. /Джош Биллингс, Генри Шоу/
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJD117-1G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора MJD117-1G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
20000
100
100
5
4000
-65+150
25000000
200
200-12000
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJD117-1G:
Корпус: TO-251. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJD117-1G
Общий вид транзистора MJD117-1G.
Цоколевка транзистора MJD117-1G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
