Высказывания: 49. И когда постигнет человека зло, он взывает к Нам. Потом, когда обратим Мы это в милость от Нас, он говорит: 'Мне это даровано по знанию'. Нет, это — искушение, но большая часть из них не знает! Cура 39. 'Толпы'
Основные параметры транзистора IXSH24N60A (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXSH24N60A с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
150W
600V
2.7V
600V
±20V
48A
150°C
100/450nS
1800pF
Производитель: IXYS Сфера применения: HiPer FAST IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXSH24N60A
Общий вид транзистора IXSH24N60A.
Цоколевка транзистора IXSH24N60A.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.