Высказывания: Любой инструмент, если его уронят, закатывается в самый недоступный угол цеха. Закатываясь в угол, он сначала ударит вас по пальцам ноги.
Основные параметры транзистора HGTG34N100E2 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTG34N100E2 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
208W
1000V
2.8V
1000V
±20V
55A
150°C
100/610nS
-
Производитель: HARRIS Сфера применения: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGTG34N100E2
Общий вид транзистора HGTG34N100E2.
Цоколевка транзистора HGTG34N100E2.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
