Высказывания: Объяснить происхождение жизни на Земле только случаем - это как если бы объяснили происхождение словаря взрывом в типографии. Невозможность признания, что дивный мир с нами самими, как сознательными существами, возник случайно, кажется мне самым главным доказательством существования Бога. Мир покоится на закономерностях и в своих проявлениях предстает как продукт разума - это указывает на его Творца. Чарлз ДАРВИН (1809 - 1882), естествоиспытатель.
Основные параметры транзистора MGP20N60U (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора MGP20N60U с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
142W
600V
1.7V
600V
±20V
20A
150°C
43/144nS
1060pF
Производитель: ON Semi Сфера применения: IGBT Transistor Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MGP20N60U
Общий вид транзистора MGP20N60U.
Цоколевка транзистора MGP20N60U.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.