Высказывания: Иногда и простой человек кстати слово скажет. Геллий
Основные параметры транзистора HGTD8P50G1S (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTD8P50G1S с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: P-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
66W
500V
2.5V
500V
±20V
3A
150°C
45/450nS
-
Производитель: HARRIS Сфера применения: Enhancement-mode IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGTD8P50G1S
Общий вид транзистора HGTD8P50G1S.
Цоколевка транзистора HGTD8P50G1S.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.