Высказывания: Павел, как и все самолюбивые, славолюбивые проповедники лжи, суетился, бегал из места в место, вербовал учеников, не брезгуя никакими средствами для приобретения их; люди же, понявшие истинное учение, жили им и не торопились проповедовать. Толстой Лев Николаевич, 1907г., 'Почему христианские народы вообще и в особенности русский находятся теперь в бедственном положении'
Основные параметры транзистора MGB15N40CL (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора MGB15N40CL с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
138W
400V
1.8V
-
-
15A
150°C
-
-
Производитель: ON Semi Сфера применения: Internally Clamped IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MGB15N40CL
Общий вид транзистора MGB15N40CL.
Цоколевка транзистора MGB15N40CL.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.