Биполярный транзистор SNG30610 с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...

11.9.2023 О создании технологии массового производства ...



Юмор:
На приёме в американском посольстве посол США похвастался, что, дескать, есть у них в штате Алабама колдун – мёртвых поднимает.
Присутствующий на приеме В.М. Молотов невозмутимо отметил, что и в СССР есть замечательный спортсмен, который бегом обгоняет самолёт.
Н.С. Хрущёв, прослышав про этот факт, вызвал к себе Молотова.
- Ты чего это, Михалыч, языком треплешь? А ну как – потребуют предъявить чудо-спортсмена?
- Мы сначала потребуем, чтобы они своего некроманта предъявили.
- А если предъявят?
- Потребуем проверки, пусть подымет… Сталина, к примеру.
- А ну как, – подымет?
- Тогда ты, Никита, не то что самолёт – ракету обгонишь!




Основные параметры транзистора SNG30610 (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора SNG30610 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
60W600V2.5V--10A150°C600nS -

Производитель: STC
Сфера применения: Standard IGBT
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора SNG30610

Общий вид транзистора SNG30610.Цоколевка транзистора SNG30610.
Общий вид транзистора SNG30610 Цоколевка транзистора SNG30610

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора SNG30610

Коллективный разум. Дополнения для транзистора SNG30610.

Вы знаете больше о транзисторе SNG30610, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора SNG30610.
Добавить рисунок транзистора SNG30610.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора SNG30610.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2023. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru