Высказывания: Правильно жить - значит работать. Когда машина бездействует, ее начинает разъедать ржавчина. Жан Анри Фабр
Основные параметры транзистора HGT1S3N60C3DS9A (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGT1S3N60C3DS9A с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
33W
600V
2V
600V
±20V
6A
150°C
5/325nS
-
Производитель: INTERSIL Сфера применения: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGT1S3N60C3DS9A
Общий вид транзистора HGT1S3N60C3DS9A.
Цоколевка транзистора HGT1S3N60C3DS9A.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
