Высказывания: Любая программа обходится дороже и требует больших затрат времени, чем предполагалось. Выводы программиста
Основные параметры транзистора GA600GD25S (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора GA600GD25S с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
1920W
250V
1.40V
-
-
600A
150°C
DC-1KHz
-
Производитель: IRF Сфера применения: IGBT MODULE Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора GA600GD25S
Общий вид транзистора GA600GD25S.
Цоколевка транзистора GA600GD25S.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.