Высказывания: 60-ти дневная гарантия означает, что товар развалится на 61-й день. Первый закон потребления Синтето
Основные параметры транзистора HGTG20N120E2 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTG20N120E2 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
150W
1200V
2.9V
1200V
±20V
34A
150°C
100/520nS
-
Производитель: HARRIS Сфера применения: Power IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGTG20N120E2
Общий вид транзистора HGTG20N120E2.
Цоколевка транзистора HGTG20N120E2.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.