Высказывания: Любой инструмент, если его уронят, закатывается в самый недоступный угол цеха. Закатываясь в угол, он сначала ударит вас по пальцам ноги.
Основные параметры транзистора G20N60B3 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора G20N60B3 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
165W
600V
2V
600V
±20V
40A
150°C
25/220 nS
-
Производитель: INTERSIL Сфера применения: UFS Series N-Channel IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора G20N60B3
Общий вид транзистора G20N60B3.
Цоколевка транзистора G20N60B3.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.