Высказывания: Вражды без причины не бывает. Арабская Мудрость
Основные параметры транзистора MSAHZ52F120A (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора MSAHZ52F120A с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
300W
1200V
3.2V
1200V
±20V
52A
150°C
95/420nS
2200pF
Производитель: MICROSEMI Сфера применения: High frequency IGBT with anti-parallel FREDiode Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MSAHZ52F120A
Общий вид транзистора MSAHZ52F120A.
Цоколевка транзистора MSAHZ52F120A.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
