Высказывания: 2. Если вы наконец-то отважились отправить любовное письмо, то оно так долго будет идти по почте, что вы за это время успеете выставить себя на посмешище. Законы любви, предложенные Артуром
Основные параметры транзистора HGTD3N60C3S (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTD3N60C3S с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
33W
600V
1.65V
600V
±20V
6A
150°C
5/325nS
-
Производитель: INTERSIL Сфера применения: UFS Series N-Channel IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGTD3N60C3S
Общий вид транзистора HGTD3N60C3S.
Цоколевка транзистора HGTD3N60C3S.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.